小编： IGBT芯片的生产制造与CPU类似，是一个“点砂成金”的过程
IGBT芯片的生产制造与CPU类似，是一个“点砂成金”的过程。首先将沙子加热至熔融状态，然后导入至熔炉中制造出直径200-300mm的高纯度单晶硅锭，接下来将硅锭切割成极薄的片状晶圆，再使用光刻机在晶圆一层一层地加工出电路，最后将晶圆切割成指甲盖大小的小块，并封装在壳体内。具体的过程，大家可以观看下方来自英特尔的科普视频。
其实早在2005年，比亚迪就组建IGBT研发团队，正式进军IGBT领域。2009年，比亚迪IGBT芯片成功通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，标志着中国在IGBT芯片技术上实现零的突破，打破了国际巨头的技术垄断。经过十余年耕耘，比亚迪成功研发出全新的车规级IGBT4.0芯片，成为车规级IGBT的标杆。目前，比亚迪已累计申请IGBT相关专利175件，其中授权专利114件。
令人头疼的还不止这些，晶圆制造的厂房对洁净度的要求也非常高，每立方英尺内直径超过0.5微米的微尘不能超过1个。因为一旦有一个微尘掉落在晶圆上，就会造成一颗IGBT芯片失效，是不是又开始心疼了？
此外，汽车作为大众级消费品，对IGBT芯片的寿命也提出较高的要求，一般来说设计寿命要在20年以上，需要满足使用寿命内数十万次甚至百万次的功率循环要求。同时，其制造成本和价格也要控制在消费者可以接受的范围内。
这还没完，汽车面临高温、高湿、高振动、频繁启停、爬山涉水等恶劣工况，这些都是IGBT芯片要面临的考验。在这些因素的综合影响下，车规级IGBT芯片相较于工业级，无论是技术难度、应用场景，还是可靠性方面，对器件本身的要求都更为严苛。
但是比亚迪做到了，而且做得更好。比亚迪IGBT4.0产品的综合损耗相比当前市场主流产品降低了约20%，使整车电耗得以降低。以全新一代唐EV为例，在其他条件不变的情况下，采用比亚迪IGBT4.0芯片较采用当前市场主流产品，百公里电耗减少约3%。
可靠性方面，比亚迪IGBT4.0产品模块的温度循环寿命可以做到当前市场主流产品的10倍以上。其电流输出能力也比主流产品提升15%，支持整车具有更强的加速能力，所以全新一代唐DM4.5秒的破百成绩，并不是只靠提升电机功率就可以做到的。
犹如高通之于手机，英特尔之于电脑，凭借自主研发的IGBT4.0芯片，向新而行的比亚迪欲成为全球最大的车规级功率半导体供应商和全球领导者。
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